意大利国家研究委员会微电子与微系统研究所（CNR-IMM）开展了一项研究，发现在硅衬底上拓扑生长的绝缘体——碲化锑（Sb2Te3）中，纯自旋电流和“传统”电流之间的转换效率很高。相关成果发表在《Advanced Functional Materials》《Advanced Materials Interfaces》上。
拓扑绝缘体的特点是内部不导电，而具有金属特性的电流可沿着其边缘和表面流动。在这种电流中，电子沿着确定的方向自旋。自旋电子学这一电子学分支将电子自旋视为可用于开发计算和信息存储新设备的重要资源。可以使用在拓扑绝缘体表面流动的所谓的“自旋极化”电流来操纵与其接触的材料的磁态，传输“自旋相关”的信息，提高电导率并降低能源成本。在这种情况下，优化纯自旋电流和“传统”充电电流之间的转换具有特殊的意义。
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